The Intel: как Роберт Нойс, Гордон Мур и Энди Гроув создали самую влиятельную компанию в мире - Майкл Мэлоун

Когда (весной 1969 года) 3101 была представлена публике, все восемнадцать работников фирмы Intel (трое на костылях) собрались в кафетерии чтобы поднять бокалы шампанского за общий успех. Компания была готова начать – и показала всей индустрии, что она может стать серьезным конкурентом, инноватором, и с достаточной производительностью, чтобы достичь высоких скоростей производства и выйти на рынок в кратчайшие сроки. Однако страх перед высокой скоростью, которую показала корпорация Intel, несколько смягчался осознанием того, что фирма наметила своей целью предсказуемый рынок SRAM.

Но это была лишь коммерческая обманка. В течение нескольких месяцев Intel потряс мир, вначале представив классическую биполярную память с диодами Шотки (модель 3301), но в индустрии 1,024 бит, а затем, что поразило всех, модель 1101 SRAM, но на металл-оксид-проводник-технологии (МОП-технологии).

Что касается модели 3301, как и для других ранних технологий компании, толчком к ее созданию послужил заказ покупателя, желающего получить передовую модель и, в чем Intel была сильна, качественный дизайн. В этом было основное преимущество имиджа главного мозгового фонда полупроводниковой промышленности: все самые интересные идеи сначала приходили в Intel.

Модель 1101 поразила рынок не своим появлением, хотя по сравнению с конкурентами она и выглядела выдающейся, но своим неожиданным технологическим процессом. Когда все уже было решили, что Intel всего лишь еще одна компания, работающая с биполярными технологиями, был представлен серьезный продукт на МОП.

Почему МОП? Вот технические описание от Мура: «МОП-технология транзисторов, также называемая МОП с кремниевыми затворами, – это электродный вывод, через который проходит ток от металлических к неметаллическим частям электросхемы. В большинстве схем подача тока осуществляется через металлические проводники, однако в некоторых схемах ток проходит часть пути по неметаллическим проводникам, таким как кремниевая пленка. Новый процесс МОП предлагает принцип саморегистрации (это означает, что слой структуры автоматически выравнивается по слою, уже присоединенному к пластине), таким образом устройство может быть меньше и работать на более высоких частотах. Кроме того, это позволило нам свободнее работать с взаимосвязью между различными слоями».

Проще говоря, МОП не был так же быстр, как биполярные технологии, однако его было проще спроектировать и изготовить, и он мог быть меньше и обладать большей плотностью. Не менее важной деталью, как отметил Мур, был новый элемент дизайна транзистора – кремниевый затвор. Этот элемент упрощал процесс размещения слоев на поверхность чипа, при помощи использования области электрода каждого транзистора, как маскирующего элемента для легирования окружающих стока и истока области.

Все это лишь сложные объяснения, доказывающие, почему данный элемент упростит процесс производства. Немаловажно, что он сделал транзисторы на поверхности МОП чипов самоустанавливающимися, что, в свою очередь, улучшило показатели скорости производства, по сравнению с биполярными конкурентами. Нет сомнений, что улучшенное качество и уменьшенный размер изменят компьютерную индустрию, сделают возможным производство дешевых мини-компьютеров для малого бизнеса и создадут фундамент для революции в сфере персональных компьютеров. Изобретатель технологии кремниевых затворов, юный итальянский физик Федерико Фаджин, пока что работающий в Fairchild, вскоре войдет в число величайших изобретателей своего века и изменит историю Intel.

Как уже говорилось ранее, переход от биполярных к МОП-технологиям был крайне непрост, и к 1970 году многим фирмам еще это не удавалось. Однако Intel удалось не только сделать скачок к МОП, по пути добавив технологию кремниевых затворов, но и практически не приложить к этому усилий, хотя они и были лидерами среди производителей биполярных технологий. Так как первый чип Intel произвел фурор среди покупателей, поставщиков и торговой прессы, переход к МОП-технологии тем более заслуживает уважения.

Чуть больше чем через год Intel уже был в передних рядах индустрии микросхем. И у него все еще был козырь в рукаве. Опять же, источником был внешний производитель, охотившийся за передовыми технологиями.

На этот раз это был амбициозный новый клиент – Honeywell. До настоящего момента его фирма – крупнейший в мире производитель мэйнфрейм-компьютеров. В октябре 1959 года наиболее крупная фирма в данной индустрии представила свой первый ПК для малого бизнеса, модель 1401, и остальные Семь Гномов (так их называли в свете их малого размера, по сравнению с Белоснежкой Big Blue) потратили все шестидесятые годы, чтобы догнать успех. Honeywell в 1963 году в ответ создал модель 200, и все семидесятые годы компания совершенствовала дизайн.

Именно в ходе попытки очередного улучшения Honeywell (в 1969 году) обратился в Intel с вопросом, не может ли он создать чип динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).

DRAM вскоре стали главной движущей силой в полупроводниковой индустрии. Изготовленные на основе биполярной технологии, они требовали крайне мало транзисторов на вычислительную ячейку. Это сделало их невероятно более быстрыми и более выгодными по плотности транзисторов, чем любой другой чип интегральной схемы. Таким образом, DRAM и тогда, и сейчас (хотя их во многом заменили карты памяти) устанавливает темпы производительности большинства устройств и оказывается в центре практически всех граф Закона Мура. Но, как и все движущие силы, DRAM был создан для скорости, не для долговечности. В отличие от SRAM, которые способны удерживать всю информацию до тех пор, пока будут получать питание, DRAM постепенно теряет заряд и требует периодической замены.

В Honeywell хотели, чтобы Intel изготовил для них DRAM всего с тремя транзисторами на ячейку, что было принципиальным нововведением для своего времени (у современного DRAM всего лишь один транзистор и один конденсатор). Honeywell пришел в правильное место, допустив лишь одну ошибку – он доверил Intel только производство, потребовав следовать его собственному дизайну.

Intel сделал в точности то, что от него требовали, и в 1970 году представил на рынок модель 1102, 1-килобитный МОП DRAM. Honeywell был полностью удовлетворен результатом, но Intel не был. Дизайн не обладал достаточной производительностью. Так что Гордон Мур распорядился создать секретное внутреннее подразделение – что примечательно, учитывая, что в компании все еще работало меньше сотни человек, – чтобы изобрести новый 1-килобитный МОП DRAM, отличный от уже созданного для Honeywell. Секретное – во избежание конфликта интересов.

Intel хотел не просто создать лучшую карту памяти, но обойти всех конкурентов. Так же, как и в Fairchild, Нойс установил цену в 1 цент за бит – удалось бы это Intel, их карта памяти была бы не только наиболее высокотехнологичной, но и самой дешевой. Подобную комбинацию было бы не остановить.

(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});