Большая Советская Энциклопедия (КР) - БСЭ БСЭ

  Лечение: в детском возрасте — гормонотерапия, способствующая ускорению развития яичка (гонадотропный гормон гипофиза, андрогены); при безрезультатности — хирургическое.

  В. Г. Цомык.

Криптостоматы

Криптосто'маты (Cryptostomata), отряд ископаемых мшанок. Колонии К. небольших размеров (до 15 см), преимущественно сетчатой формы, реже ветвистой, пластинчатой. Известковый скелет пронизан системой капилляров. 3 подотряда включают 10 семейств (около 150 родов); были широко распространены в палеозое от ордовика до начала триаса; обитали в морях. Принимали участие в образовании рифов. Имеют важное стратиграфическое значение.

  Лит.: Основы палеонтологии. Мшанки, брахиоподы, М., 1960; Астрова Г. Г., Морфология, история развития и система ордовикских и силурийских мшанок, М., 1965; Морозова И, П., Мшанки поздней перми, М., 1970.

Криптофиты

Криптофи'ты (от крипто... и греч. phytón — растение), многолетние травянистые растения, у которых почки возобновления закладываются на корневищах, клубнях, луковицах и находятся под землёй (геофиты, например тюльпан) или под водой (гидрофиты). См. Жизненная форма.

Крипякевич Иван Петрович

Крипяке'вич Иван Петрович [25.6 (7.7).1886, Львов, — 21.4.1967, там же], советский историк, академик АН УССР (1958), заслуженный деятель науки УССР (1961). В 1908 окончил Львовский университет. С 1911 член историко-философской секции Научного товарищества им. Т. Г. Шевченко. После воссоединения Западной Украины с УССР (1939) К. — профессор и заведующий кафедрой истории Львовского университета. С 1951 заведующий отделом истории Украины института общественных наук АН УССР во Львове, с 1953 директор этого института. К. — автор многих работ по истории Украины периода феодализма. Его работы до 40-х гг. носят отпечаток влияния концепций школы М. С. Грушевского. В сов. время К. опубликовал ряд исследований, главным образом по истории народно-освободительной войны 1648—54.

  Соч.: Богдан Хмельницький, К., 1954; Звязки 3axiдної України з Pociєю) до сер. XVII ст., К., 1953.

Крис

Крис (малайск. kris), холодное оружие многих народов Малайзии и Индонезии — стальной кинжал с пламевидным или змеевидным изгибами лезвия и богато украшенной рукояткой из дерева, кости, рога. В прошлом К. был обязательной принадлежностью мужского костюма. В годы колониального господства право носить его сохранили лишь представители аристократии и деревенской администрации. Ныне К. хранят в семьях как фамильную ценность.

Криспи Франческо

Кри'спи (Crispi) Франческо (4.10.1818, Рибера, Сицилия, — 11.8.1901, Неаполь), итальянский государственный деятель, адвокат. В период Рисорджименто — участник Революции 1848—49, сподвижник Дж. Гарибальди по экспедиции «Тысяча». После объединения Италии стал рьяным поборником монархии. В 80-х гг. — один из лидеров так называемой Левой — парламентской группировки итальянской буржуазии. Будучи в 1887—1891 и 1893—96 премьер-министром, К. в области внутренней политики проводил жёсткий антидемократический курс (реакционный закон об общественной безопасности 1889, кровавая расправа с восставшими крестьянами в Сицилии и рабочими в Масса-Карраре в 1893—94, запрещение социалистической партии в 1894—95 и т. д.). Внешняя политика К. характеризуется укреплением связей Италии с др. членами Тройственного союза 1882 и экспансией в Африке, где было начато создание колоний в Сомали (1889) и Эритрее (1890); однако провал попытки захватов в Эфиопии (1896) и политики «железного кулака» внутри страны вынудили К. уйти с политической арены,

  В. С. Бондарчук.

Кристаллизация

Кристаллиза'ция, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. К. лежит в основе металлургии, получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. материалов, плёнок для микроэлектроники, металлических покрытий, широко используется в химической, пищевой, медицинской промышленности (очистка веществ, производство удобрений, соли, сахара, химикалиев, лекарств).

  Условия К. Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растет, то он находится в термодинамическом равновесии с маточной средой (расплавом, раствором или паром). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при температуре плавления Тпл, а равновесие с раствором и паром — если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды — необходимое условие для роста погруженного в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.

  К. — фазовый переход вещества из состояния переохлажденной (пересыщенной) маточной среды в кристаллическое соединение с меньшей энергией. Избыточная энергия выделяется при К. в виде скрытой теплоты К. Часть этой теплоты может превращаться в механическую работу; например, растущий кристалл может поднимать положенный на него груз, развивая кристаллизационное давление порядка десятков кГ/см2. В частности, кристаллы солей, образующиеся в порах бетонных плотин в морской воде, могут вызывать разрушение бетона.

  Выделение скрытой теплоты К. ведёт к нагреванию расплава, уменьшению переохлаждения и замедлению К., которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений температуры, концентрации и давления.

  Зародыши К. Переохлажденная среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние (например, мелкие, диаметром 0,1 мм капли хорошо очищенных металлов можно переохладить до температуры ~ 0,8 Тпл). Однако при достижении некоторого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов (зародышей). Происходит спонтанная К. Возникшие кристаллики растут и, т. к. переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Критическое переохлаждение зависит от температуры, концентрации, состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц (например, пылинок, на которых образуются зародыши, кристалликов др. веществ и т. п.), от материала и состояния поверхности стенок сосуда, от интенсивности перемешивания, действия излучений и ультразвука.

  При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллические агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности — увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера r агрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает (рис. 1). Агрегат, для которого работа образования максимальна, называется критическим зародышем (rкр). Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах (в особенности заряженных), на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение называется гетерогенным. При К. на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преимущественно на неоднородностях поверхности. При этом кристаллики «декорируют» дефекты и неоднородности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением температуры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости, а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллическим агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от температуры имеет максимум (рис. 2). При низких температурах подвижность частиц жидкости столь мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным, — возникает стекло.

  Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метастабильных растворов и расплавов, вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургических процессах стремятся иметь максимальное число зародышей.

  Эпитаксия. Кристаллы, возникающие на поверхностях др. кристаллов, ориентированы относительно них закономерно. Например, при К. Au (из атомарного пучка) на поверхности кристалла NaCl кристаллики Au ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания называется эпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если температура подложки выше некоторой критической (если температура ниже, то кристаллики ориентированы хаотично) и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды, а также от предварительного облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Подложка ориентирует кристаллики даже через тонкие (~1000Ǻ) плёнки угля, поливинилхлорида, окиси цинка, селена, если последние нанесены не в сверхвысоком вакууме.